g-tensor Optimization in Ge/SiGe Quantum Dots
Cet article présente un cadre d'optimisation flexible pour le façonnage des propriétés du tenseur g dans des boîtes quantiques Ge/SiGe planes, en déterminant numériquement une reformulation optimale du potentiel par ajustement de la concentration en silicium, supprimant ainsi les composantes du tenseur g dans le plan afin de permettre des opérations fiables et évolutives sur des qubits à spin de trou.