Quantifying Strain and its Effect on Charge Transport in Ge/Si Core/Shell Nanowires
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि Au-उत्प्रेरित Ge/Si कोर/शेल नैनोवायरों के कोर और शेल आयामों पर सटीक नियंत्रण प्रभावी स्ट्रेन इंजीनियरिंग को सक्षम बनाता है, जिसके परिणामस्वरूप 25,500 cmVs की रिकॉर्ड-उच्च होल मोबिलिटी प्राप्त होती है जो स्केलेबल क्वांटम प्रौद्योगिकियों के लिए उच्च-निष्ठा वाले स्पिन क्वबिट होस्ट के रूप में उनकी क्षमता को रेखांकित करती है।