Origin of High-Temperature Antiferromagnetic Order in a van der Waals Material
अध्ययन से पता चलता है कि Fe4GeTe2 में Co को प्रतिस्थापित करने से परत-चयनात्मक क्रम (layer-selective ordering) और अर्ध-स्थानीकृत (quasi-localized) Co 3d-अवस्थाओं के संवर्धित इलेक्ट्रॉनिक सहसंबंध उत्पन्न होते हैं, जो वैन डेर वाल्स सामग्री (Fe0.65Co0.35)4GeTe2 में 250 K पर एक असामान्य उच्च-तापमान एंटीफेरोमैग्नेटिक क्रम को प्रेरित करते हैं, जिससे यह AFM स्पिंट्रोनिक्स के लिए एक आशाजनक उम्मीदवार के रूप में स्थापित होता है।