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यह अध्ययन एक गणनात्मक रूप से कुशल ढांचे को प्रस्तुत करता है जो गैर-परस्पर क्रिया करने वाले इलेक्ट्रॉन घनत्व और बेयसियन सक्रिय शिक्षण का उपयोग करके विशाल संरचनात्मक परिदृश्यों में मिश्र धातु के गुणों के अत्यधिक सटीक, ज़ीरो-शॉट एक्सट्रपलेटिव भविष्यवाणियां प्राप्त करता है, जो रिफ्रैक्टरी हाई-एन्ट्रॉपी मिश्र धातुओं की खोज के लिए डेटा आवश्यकताओं को महत्वपूर्ण रूप से कम करता है।
यह शोध पत्र प्रस्तावित करता है कि द्वि-आयामी सुपरलैटिस (superlattices) में मोइरे एक्सिटोन (moire excitons), ट्यूनेबल सुपररेडिएंट (superradiant) और सबरेडिएंट (subradiant) अवस्थाओं तथा चरम ऑप्टिकल स्विचिंग जैसे सहयोगात्मक क्वांटम ऑप्टिकल परिघटनाओं को प्रदर्शित करते हैं, जो उनकी वास्तविक-स्थान जालक संरचना (real-space lattice structure) द्वारा संचालित होते हैं और विद्युत क्षेत्रों, स्ट्रेन या ट्विस्ट कोण समायोजन के माध्यम से नियंत्रित किए जा सकते हैं।
उच्च गुणवत्ता वाले रुटाइल OsO2 एकल क्रिस्टल के संश्लेषण द्वारा, शोधकर्ताओं ने पाया कि हालांकि यह सामग्री प्रारंभ में एक अनुचुंबकीय धातु है, उच्च दबाव (44 GPa) लगाने से धातु-अचालक संक्रमण प्रेरित होता है और इसे एक अल्टरमैग्नेटिक अवस्था में चरण परिवर्तन की ओर ले जाता है, जो यह प्रदर्शित करता है कि बाहरी दबाव प्रभावी रूप से इसकी चुंबकीय आधार अवस्था को ट्यून कर सकता है।
यह अध्ययन बल्क OsO2 सिंगल क्रिस्टल के सफल संश्लेषण की रिपोर्ट करता है जो ऑक्सीजन इवोल्यूशन रिएक्शन की दक्षता और स्थिरता में वाणिज्यिक RuO2 नैनोपॉउडर से बेहतर प्रदर्शन करते हैं, जो यह प्रदर्शित करते हुए नैनोस्केलिंग की सार्वभौमिक प्रयोज्यता को चुनौती देते हैं कि क्रिस्टल अखंडता मजबूत इलेक्ट्रोकैटालिसिस के लिए एक महत्वपूर्ण विवरणक है।
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि द्विअक्षीय विकृति (biaxial strain), संवेग-स्थान ऑर्बिटल हाइब्रिडाइजेशन (momentum-space orbital hybridization) को इंजीनियर करके, Tc-अवशोषित पेंटा-हेक्सा सिलिकीन मोनोलेयर्स के टोपोलॉजिकल क्रम और पीज़ोइलेक्ट्रिक कार्यक्षमता को गतिशील रूप से ट्यून कर सकती है, जिससे स्थिर सामग्रियों को बहुमुखी, विकृति-उत्तरदायी क्वांटम प्लेटफॉर्म में परिवर्तित किया जा सकता है।
यह अध्ययन इस बात की जांच करता है कि कैसे InAs/InGaAs क्वांटम वेल्स (InP (001) पर) की परत संरचना और स्ट्रेन (strain) उनके इलेक्ट्रॉनिक गुणों और सतह की आकृति विज्ञान (surface morphology) को प्रभावित करते हैं, जिससे यह पता चलता है कि परत का डिज़ाइन गतिशीलता अनिसोट्रॉपी (mobility anisotropy) को निर्धारित करता है, अत्यधिक मोटाई क्वांटम वेल के पतन (collapse) को प्रेरित करती है, और क्वांटम कन्फाइनमेंट (quantum confinement) बैंड नॉनपैराबोलिसिटी (band nonparabolicity) को महत्वपूर्ण रूप से प्रभावित करता है।
यह शोध पत्र यह प्रदर्शित करता है कि उतार-चढ़ाव वाले चुंबकीय प्रणालियों, जैसे कि Ni80Fe20, में मजबूत दोषों का पता लगाने के लिए U-Net मॉडलों को माइक्रोमैग्नेटिक सिमुलेशन से प्राप्त सांख्यिकीय डिस्क्रिप्टर्स जैसे कि टेम्पोरल मीन (temporal mean), स्टैंडर्ड डेविएशन (standard deviation) और लेटेंट एंट्रॉपी (latent entropy) पर प्रशिक्षित किया जा सकता है, बशर्ते कि प्रशिक्षण डेटा अपेक्षित शोर सांख्यिकी (noise statistics) को सटीक रूप से प्रतिबिंबित करता हो।
यह शोध पत्र एक एआई-संचालित वर्कफ़्लो प्रस्तुत करता है जो विरल रूप से नमूना लिए गए एक्स-रे हाइपरस्पेक्ट्रल डेटा का विश्लेषण करने के लिए गॉसियन मिक्स्चर वेरिएशनल ऑटोएनकोडर को पियर्सन सहसंबंध गुणांकों के साथ जोड़ता है, जिससे नैनोमीटर-रिज़ॉल्यूशन वाले मल्टीफेज मानचित्रों का निर्माण संभव होता है जो इलेक्ट्रोकेमिकल साइकलिंग के दौरान व्यक्तिगत सोडियम-आयन कैथोड कणों में जटिल चरण विषमता और संक्रमण क्षेत्रों को प्रकट करते हैं।
उच्च-गुणवत्ता वाला एकल-क्रिस्टलीय DyNiSb दो विशिष्ट चुंबकीय संक्रमण और धात्विक चालकता प्रदर्शित करता है, जो पिछले पॉलीक्रिस्टलाइन रिपोर्टों के विपरीत है, जबकि यह कमजोर एंटीलोकलाइजेशन और क्षेत्र-प्रेरित फर्मी सतह पुनर्गठन सहित जटिल मैग्नेटोट्रांसपोर्ट व्यवहार प्रदर्शित करता है।
यह अध्ययन एकल-क्रिस्टलीय ErPdSb के ऊष्मागतिक और चुंबक-परिवहन गुणों को अभिलक्षित करता है, जो 1.2 K पर इसके प्रति-लौहचुंबकीय क्रम, 70 K के पास प्रतिरोधकता हंप के साथ अर्धधात्विक व्यवहार, चुंबकीय क्षेत्रों में कमजोर एंटीलोकलाइजेशन से नकारात्मक मैग्नेटोरेसिस्टेंस में संक्रमण, और कम तापमान पर फर्मी सतह पुनर्निर्माण को दर्शाने वाला एक बड़ा विसंगत हॉल प्रभाव प्रकट करता है।