Mitigating the Impact of Retention Loss on Inference Accuracy in 65 nm Single-Poly Floating-Gate Analog In-Memory Computing
यह शोध पत्र एक 65 nm सिंगल-पॉली फ्लोटिंग-गेट एनालॉग इन-मेमोरी कंप्यूटिंग ऐरे पर प्रयोगों और सिस्टम-लेवल सिमुलेशन के माध्यम से यह प्रदर्शित करता है कि सर्किट-लेवल कंपनसेशन (compensation) को एल्गोरिद्मिक बैच नॉर्मलाइज़ेशन रीकैलिब्रेशन के साथ संयोजित करने से 60 दिनों के रिटेंशन लॉस के बाद भी बेसलाइन के 2–4% के भीतर अनुमान सटीकता (inference accuracy) को पुनः प्राप्त किया जा सकता है।