Investigation of the RF Performance of n-JL (Junctionless) CombFETwith Ambient Temperature Variations
यह अध्ययन 3D TCAL सिमुलेशन का उपयोग करके यह प्रदर्शित करता है कि यद्यपि परिवेश के तापमान में वृद्धि के साथ 14 nm n-जंक्शनलेस कॉम्बFET (n-Junctionless CombFET) का RF प्रदर्शन घटता है, तथापि इसकी मजबूत वर्टिकल स्टैक्ड डिज़ाइन और ट्यूनेबल फिन गैप्स थर्मल स्ट्रेस के तहत उच्च-आवृत्ति वाले 6G अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित संचालन को सक्षम करते हैं।