Second order unfitted ghost-FEM for elliptic interface problems with applications to low-dimensional semiconductor devices
यह शोध पत्र फिक्स्ड कार्टेशियन ग्रिड्स पर एलिप्टिक इंटरफेस समस्याओं को हल करने के लिए एक सेकंड-ऑर्डर अनफिटेड घोस्ट परिमित तत्व विधि (ghost finite element method) प्रस्तुत करता है, जिसे बेंचमार्क पर मान्य किया गया है और एक स्व-सुसंगत ड्रिफ्ट-डिफ्यूजन-पॉइसन ढांचे के भीतर ग्राफीन फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के इलेक्ट्रोस्टैटिक व्यवहार और स्थानांतरण विशेषताओं का अनुकरण करने के लिए सफलतापूर्वक लागू किया गया है।