Device characterization of SiSiGe double quantum dots using exchange oscillations in Earth's magnetic field
यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि Si/SiGe डबल क्वांटम डॉट्स में अवशिष्ट परमाणु स्पिन (residual nuclear spins) से उत्पन्न आंतरिक चुंबकीय-क्षेत्र प्रवणता (intrinsic magnetic-field gradients) का उपयोग शून्य लागू चुंबकीय क्षेत्र पर एक्सचेंज ऑसिलेशन करने और डिवाइस मापदंडों को कैरेक्टराइज करने के लिए किया जा सकता है, जो माइक्रोगेनेट्स या जटिल अंशांकन की आवश्यकता के बिना हाइब्रिड सेमीकंडक्टर-सुपरकंडक्टर क्वबिट्स के लिए एक सरल, उच्च-थ्रूपुट डायग्नोस्टिक टूल प्रदान करता है।