🔬 mesoscale physics

Photogalvanic effect in few layer graphene

यह अध्ययन एक टाइट-बाइंडिंग मॉडल का उपयोग करके AA-, AB-, AAA-, ABA-, और ABC-स्टैक्ड फ few-layer ग्रेफीन में नॉनलीनियर फोटोगैल्वैनिक प्रभाव की व्यवस्थित जांच करता है, जो यह प्रकट करता है कि जबकि ट्यूनेबल स्पेक्ट्रल गुणों वाले सभी संरचनाओं में जर्क करंट (jerk current) की अनुमति है, शिफ्ट करंट विशेष रूप से इनवर्जन-सिमेट्री-टूटी हुई ABA-स्टैक्ड ट्रिलायर्स में उभरता है, जिससे ट्यूनेबल फोटो डिटेक्शन और ऊर्जा-संचयन उपकरणों को डिजाइन करने के लिए एक सिमेट्री-बैंड-फील्ड कपलिंग प्रतिमान स्थापित होता है।

मूल लेखक: Zhaohang Li, Kainan Chang, Haoyu Li, Yuxuan Gao, Wei Xin, Jinluo Cheng, Haiyang Xu

प्रकाशित 2026-04-13

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CC BY 4.0

मूल लेखक: Zhaohang Li, Kainan Chang, Haoyu Li, Yuxuan Gao, Wei Xin, Jinluo Cheng, Haiyang Xu

मूल पेपर CC BY 4.0 (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/) के तहत लाइसेंस किया गया है। ✨ नीचे दिए गए पेपर की यह व्याख्या AI से तैयार की गई है। इसे लेखकों ने न तो लिखा है, न इसका समर्थन किया है। तकनीकी सटीकता के लिए मूल पेपर देखें। पूरा डिस्क्लेमर पढ़ें

ग्राफीन की कल्पना केवल कार्बन परमाणुओं की एक सपाट शीट के रूप में नहीं, बल्कि पैनकेक के एक ढेर के रूप में करें। इस शोध पत्र में, शोधकर्ता यह देख रहे हैं कि क्या होता है जब आप इन "पैनकेक" के ढेरों (विशेष रूप से 2 या 3 परतों मोटे) पर प्रकाश डालते हैं और बिना बैटरी के बिजली उत्पन्न करने की कोशिश करते हैं।

यहाँ उनकी खोज का विवरण दिया गया, जिसे रोजमर्रा की भाषा में अनुवादित किया गया है:

1. लक्ष्य: प्रकाश से बिजली बनाना (बिना बैटरी के)

आमतौर पर, प्रकाश से बिजली प्राप्त करने के लिए (जैसे सोलर पैनल में), आपको सामग्री के भीतर एक अंतर्निहित "धक्का" (push) चाहिए होता है, जैसे कि एक पहाड़ी जो इलेक्ट्रॉन्स को एक दिशा में लुढ़कने के लिए मजबूर करती है। इसे बैंडगैप (bandgap) कहा जाता है।

लेकिन ग्राफीन विशेष है। यह एक सपाट फर्श की तरह है जिसमें कोई पहाड़ियाँ नहीं हैं। सामान्यतः, आप सपाट फर्श पर प्रकाश से निरंतर बिजली का प्रवाह (करंट) प्राप्त नहीं कर सकते क्योंकि इलेक्ट्रॉन बस आगे-पीछे डगमगाते रहते हैं।

हालाँकि, यह शोध पत्र फोटोगैल्वैनिक प्रभाव (Photogalvanic Effect) नामक एक तरकीब की खोज करता है। यह एक ड्रम बजाने जैसा है: यदि आप इसे सही लय और कोण के साथ बिल्कुल सही तरीके से बजाते हैं, तो ड्रम की त्वचा केवल कंपन ही नहीं करती; बल्कि वह वास्तव में एक विशिष्ट दिशा में चलती है। शोधकर्ता यह देखना चाहते थे कि क्या वे प्रकाश पड़ने पर ग्राफीन को एक विशिष्ट दिशा में "चलने" के लिए प्रेरित कर सकते हैं, जिससे एक उपयोगी विद्युत धारा उत्पन्न हो सके।

2. दो "नर्तक": शिफ्ट करंट बनाम जर्क करंट

शोध पत्र इलेक्ट्रॉनों के हिलने के दो अलग-अलग तरीकों की पहचान करता है, जिन्हें वे "शिफ्ट करंट" और "जर्क करंट" कहते हैं। इन्हें दो अलग-अलग डांस मूव्स (नृत्य की मुद्राओं) के रूप में समझें:

शिफ्ट करंट (The "Symmetry Breaker" - समरूपता तोड़ने वाला):
- नियम: यह डांस मूव तभी काम करता है जब पैनकेक का ढेर असमान (lopsided) हो। यदि ढेर पूरी तरह से सममित (जैसे कि एक दर्पण छवि) है, तो इलेक्ट्रॉन एक-दूसरे को रद्द कर देते हैं, और कोई करंट नहीं बहता।
- खोज: शोधकर्ताओं ने पाया कि केवल एक विशिष्ट स्टैकिंग क्रम, जिसे ABA-स्टैक्ड ट्राइलेयर ग्राफीन (एक 3-परत वाला ढेर जहाँ ऊपर और नीचे की परतें संरेखित हैं, लेकिन बीच वाली परत थोड़ी खिसकी हुई है) कहा जाता है, इतना "असमान" है कि यह इस नृत्य को होने दे सकता है।
- परिणाम: यह कुशल सौर सेल के लिए "पवित्र प्याला" (holy grail) है क्योंकि यह बिना किसी बाहरी बैटरी के एक मजबूत करंट उत्पन्न करता है। यह एक स्व-संचालित लाइट स्विच की तरह है।
जर्क करंट (The "Universal Dancer" - सार्वभौमिक नर्तक):
- नियम: यह मूव बहुत अधिक लचीला है। यह हर प्रकार के ढेर (AA, AB, AAA, ABA, ABC) में काम करता है, चाहे समरूपता कुछ भी हो।
- पकड़: इस डांस को काम करने के लिए, आपको इलेक्ट्रॉनों को पहले से थोड़ा "धक्का" देने की आवश्यकता है। आपको प्रकाश पड़ने के दौरान एक छोटा, स्थिर विद्युत क्षेत्र (जैसे फर्श पर बहती हल्की हवा) लगाना होगा।
- परिणाम: यह शिफ्ट करंट की तुलना में थोड़ा कमजोर है, लेकिन क्योंकि यह हर जगह काम करता है, इसलिए यह बहुत बहुमुखी है। यह एक यूनिवर्सल रिमोट कंट्रोल की तरह है जो किसी भी टीवी पर काम करता है, बशर्ते आपके पास बैटरी हो।

3. रेडियो ट्यून करना: "केमिकल पोटेंशियल" का नॉब

सबसे रोमांचक खोजों में से एक यह है कि आप इन प्रभावों को एक रेडियो डायल की तरह ट्यून कर सकते हैं।

नॉब: शोधकर्ता "केमिकल पोटेंशियल" (मूल रूप से गेट वोल्टेज के माध्यम से इलेक्ट्रॉन जोड़ना या हटाना, जैसे कि एक डिमर स्विच) का उपयोग करते हैं।
प्रभाव: इस नॉब को घुमाकर, आप उस प्रकाश के रंग को बदल सकते हैं जिस पर ग्राफीन प्रतिक्रिया देता है।
- इसे एक तरफ घुमाएँ, और यह टेराहर्ट्ज़ (Terahertz) तरंगों को पकड़ता है (जो सुरक्षा स्कैनर में उपयोग की जाती हैं)।
- इसे दूसरी ओर घुमाएँ, और यह दृश्य प्रकाश (Visible light) को पकड़ता है (जैसे सूर्य का प्रकाश)।
- इसका मतलब है कि एक ही उपकरण को केवल एक स्विच बदलकर प्रकाश स्पेक्ट्रम के विभिन्न हिस्सों से ऊर्जा प्राप्त करने के लिए ट्यून किया जा सकता है।

4. "स्टैकिंग" का रहस्य

यह शोध पत्र ग्राफीन की परतों को रखने के विभिन्न तरीकों की तुलना करता है, जैसे कि शेल्फ पर किताबें सजाना:

AA स्टैकिंग: प्रत्येक परत दूसरी के ठीक ऊपर होती है। यह लगभग ग्राफीन की एक एकल, मोटी शीट की तरह कार्य करता है।
AB स्टैकिंग: परतें थोड़ी खिसकी हुई होती हैं। यह इलेक्ट्रॉन ऊर्जा में एक जटिल "मेक्सिकन हैट" (Mexican hat) आकार बनाता है, जिससे अद्वितीय व्यवहार उत्पन्न होते हैं।
ABA स्टैकिंग: यह "गोल्डिलॉक्स" (Goldilocks) स्टैक है। यह एकमात्र ऐसा स्टैक है जो बिना किसी बाहरी धक्के के शक्तिशाली शिफ्ट करंट बनाने के लिए पर्याप्त रूप से समरूपता को तोड़ता है।

यह क्यों मायने रखता है?

कल्पना कीजिए कि भविष्य में:

स्व-संचालित सेंसर: आपकी स्मार्टवॉच या मेडिकल सेंसर बिना कभी बैटरी बदले पूरी तरह से परिवेशी प्रकाश (यहाँ तक कि इनडोर लाइट) पर चल सकते हैं, जो ABA-ग्राफीन के शिफ्ट करंट की बदौलत संभव है।
पोलराइजेशन कैमरे: क्योंकि करंट प्रकाश के ध्रुवीकरण (जैसे धूप के चश्मे द्वारा चमक को छानना) के आधार पर दिशा बदलता है, हम ऐसे कैमरे बना सकते हैं जो उन ध्रुवीकरण पैटर्न को देख सकें जो मानव आंखों के लिए अदृश्य हैं।
ट्यूनेबल ऊर्जा हार्वेस्टर: एक ही उपकरण जिसे सूरज की गर्मी (इन्फ्रारेड) या लैंप की रोशनी (दृश्य प्रकाश) से ऊर्जा प्राप्त करने के लिए एडजस्ट किया जा सकता है, बस एक वोल्टेज नॉब घुमाकर।

संक्षेप में: शोधकर्ताओं ने यह पता लगाया है कि प्रकाश के साथ नाचने के लिए ग्राफीन के "पैनकेक" को कैसे स्टैक किया जाए। उन्होंने पाया कि एक विशिष्ट स्टैक जो अपने आप नाचता है (शिफ्ट करंट) और एक दूसरा डांस मूव जो सभी के लिए काम करता है लेकिन उसे थोड़े धक्के की आवश्यकता होती है (जर्क करंट)। यह सौर सेल और सेंसरों की एक नई पीढ़ी के द्वार खोलता है, जो अधिक स्मार्ट, अधिक कुशल और ट्यून करने योग्य हैं।

यहाँ ज़ाओहांग ली और अन्य द्वारा लिखित शोध पत्र "Photogalvanic effect in few layer graphene" का विस्तृत तकनीकी सारांश दिया गया है।

1. समस्या विवरण (Problem Statement)

फोटोगैल्वेनिक प्रभाव (PGEs) गैर-रेखीय प्रकाश-पदार्थ अंतःक्रियाओं (nonlinear light-matter interactions) से दिष्ट धारा (DC) उत्पन्न करते हैं, जो पारंपरिक फोटोइलेक्ट्रिक रूपांतरण की तुलना में लाभ प्रदान करते हैं, जैसे कि बैंडगैप-स्वतंत्र प्रतिक्रिया और शॉकले-क्वीसर सीमा (Shockley-Queisser limit) को पार करने की क्षमता। जबकि बल्क फेरोइलेक्ट्रिक्स और मोनोलेयर ग्राफीन पर महत्वपूर्ण शोध मौजूद है, फ्यू-लेयर ग्राफीन प्रणालियों में फोटोकरंट पीढ़ी में इंटरलेयर निर्भरता अभी भी अस्पष्ट है। विशेष रूप से, इस बारे में व्यापक समझ की कमी है कि विभिन्न स्टैकिंग क्रम (AA, AB, AAA, ABA, ABC) गैर-रेखीय फोटोकरंट तंत्रों (शिफ्ट करंट और जर्क करंट) को कैसे प्रभावित करते हैं और उन्हें अगली पीढ़ी के ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए कैसे ट्यून किया जा सकता है।

2. कार्यप्रणाली (Methodology)

लेखकों ने गैर-रेखीय फोटोकरंट्स की जांच करने के लिए टाइट-बाइंडिंग मॉडल (tight-binding models) और परटर्बेशन थ्योरी (perturbation theory) को संयोजित करने वाले एक सैद्धांतिक ढांचे का उपयोग किया।

अध्ययन किए गए सिस्टम: बाइलेयर ग्राफीन (AA-स्टैक्ड, AB-स्टैक्ड) और ट्राइलेयर ग्राफीन (AAA-स्टैक्ड, ABA-स्टैक्ड, ABC-स्टैक्ड)।
इलेक्ट्रॉनिक संरचना: इलेक्ट्रॉनिक अवस्थाओं को कार्बन $p_z$ ऑर्बिटल्स के साथ टाइट-बाइंडिंग हैमिल्टोनियन का उपयोग करके मॉडल किया गया। मुख्य मापदंडों में इंट्रालेयर होपिंग ( $\gamma_0$ ), इंटरलेयर होपिंग ( $\gamma_1, \gamma_2, \gamma_3$ ), और असममित संरचनाओं के लिए ऑन-साइट ऊर्जा अंतर ( $\Delta'$ ) शामिल थे।
कंडक्टिविटी गणना:
- शिफ्ट करंट ( $\sigma^{(2)}$ ): एक द्वितीय-क्रम का गैर-रेखीय प्रभाव (बल्क फोटोवोल्टिक प्रभाव) जिसे समीकरण-ऑफ-मोशन का उपयोग करके गणना किया गया। इसके लिए इनवर्जन सिमेट्री (inversion symmetry) का टूटना आवश्यक है।
- जर्क करंट ( $\sigma^{(3)}$ ): एक तृतीय-क्रम का गैर-रेखीय प्रभाव जिसके लिए एक इन-प्लेन स्टैटिक इलेक्ट्रिक फील्ड ( $E_{dc}$ ) की आवश्यकता होती है। यह सभी क्रिस्टल सिमिट्री में अनुमत है।
सिमुलेशन पैरामीटर्स: गणनाओं को टेराहर्ट्ज़ से विज़िबल स्पेक्ट्रल रेंज में $3000 \times 3000$ k-ग्रिड (लो डैम्पिंग विश्लेषण के लिए $12000 \times 12000$ तक परिष्कृत) पर, $T=300$ K पर, डैम्पिंग गुणांक $\gamma = 33$ meV (और पीक रेजोल्यूशन के लिए $0.5$ meV) के साथ किया गया।
सिमिट्री विश्लेषण: कंडक्टिविटी के गैर-शून्य टेंसर घटकों को निर्धारित करने के लिए पॉइंट ग्रुप सिमिट्री का विश्लेषण किया गया।

3. मुख्य योगदान (Key Contributions)

व्यवस्थित सिमिट्री-बैंड-फील्ड प्रतिमान (Systematic Symmetry-Band-Field Paradigm): यह पेपर क्रिस्टल सिमिट्री, बैंड टोपोलॉजी और बाहरी क्षेत्रों को लेयर्ड ग्राफीन में गैर-रेखीय फोटोकरंट पीढ़ी से जोड़ने वाला एक व्यापक ढांचा स्थापित करता है।
तंत्रों का विभेदन (Differentiation of Mechanisms): यह स्पष्ट रूप से शिफ्ट करंट (सिमिट्री-निर्भर, द्वितीय-क्रम) और जर्क करंट (सिमिट्री-स्वतंत्र, तृतीय-क्रम) के बीच अंतर करता है, यह प्रदर्शित करते हुए कि स्टैकिंग ऑर्डर यह तय करता है कि कौन सा तंत्र प्रभावी है या मौजूद है।
सार्वभौमिक बनाम चयनात्मक अस्तित्व (Universal vs. Selective Existence):
- शिफ्ट करंट: पाया गया कि यह केवल ABA-स्टैक्ड ट्राइलेयर ग्राफीन में मौजूद है क्योंकि इसमें इनवर्जन सिमिट्री ( $D_{3h}$ पॉइंट ग्रुप) टूटी हुई है। अन्य सभी संरचनाएं (AA, AB, AAA, ABC) इनवर्जन सिमिट्री रखती हैं, जो शिफ्ट करंट को दबा देती हैं।
- जर्क करंट: इसे एक सार्वभौमिक तृतीय-क्रम प्रभाव के रूप में प्रदर्शित किया गया है जो सभी अध्ययन किए गए स्टैकिंग कॉन्फ़िगरेशन में मौजूद है, बशर्ते कि एक इन-प्लेन स्टैटिक इलेक्ट्रिक फील्ड लगाया जाए।
बैंड-स्ट्रक्चर निर्भर पथ (Band-Structure Dependent Pathways): अध्ययन प्रकट करता है कि AA-स्टैक्ड बाइलेयर्स और AAA-स्टैक्ड ट्राइलेयर्स स्वतंत्र मोनोलेयर-जैसे डिराक कोन्स (Dirac cones) के सुपरपोजिशन की तरह व्यवहार करते हैं, जबकि AB, ABA, और ABC संरचनाएं जटिल इंटरलेयर कपलिंग प्रदर्शित करती हैं जो पैराबोलिक बैंड और "मेक्सिकन-हैट" डिस्पर्शन (Mexican-hat dispersions) की ओर ले जाती हैं, जिससे कैरियर ट्रांजिशन पथ मौलिक रूप से बदल जाते हैं।

4. मुख्य परिणाम (Key Results)

A. शिफ्ट करंट (ABA-ट्राइलेयर ग्राफीन)

सिमिट्री आवश्यकता: केवल ABA-TG ही गैर-शून्य शिफ्ट करंट प्रदर्शित करता है।
पीक प्रदर्शन: इष्टतम डोपिंग ( $\mu = 0.36$ eV) और फोटॉन ऊर्जा ( $\hbar\omega = 0.555$ eV) पर, पीक शिफ्ट कंडक्टिविटी $1.21 \times 10^{-13}$ A·m/V² तक पहुँच जाती है।
स्पेक्ट्रल विशेषताएं:
- लो-एनर्जी पीक्स ( $\sim 0.02$ eV) लीनियर बैंड्स (Set II) या पैराबोलिक बैंड्स (Set III) के भीतर ट्रांजिशन से उत्पन्न होते हैं।
- हाई-एनर्जी पीक्स ( $\sim 0.53, 0.55, 0.57$ eV) गैप्ड पैराबोलिक बैंड्स और लीनियर बैंड्स के बीच इंटरबैंड ट्रांजिशन के अनुरूप हैं।
ट्यूनेबिलिटी: प्रतिक्रिया केमिकल पोटेंशियल ( $\mu$ ) के प्रति अत्यधिक संवेदनशील है। जैसे-जैसे $\mu$ बढ़ता है, पाउली ब्लॉकिंग विशिष्ट ट्रांजिशन को दबा देती है, जिससे पीक्स गायब हो जाते हैं या शिफ्ट हो जाते हैं।

B. जर्क करंट (सभी संरचनाएं)

सार्वभौमिकता: AA-BG, AB-BG, AAA-TG, ABA-TG, और ABC-TG में देखा गया।
तंत्र वर्गीकरण:
- ग्रुप I (AA-BG, AAA-TG): लीनियर डिराक कोन्स की विशेषता। जर्क करंट स्वतंत्र मोनोलेयर प्रतिक्रियाओं का एक सुपरपोजिशन है जो ऊर्जा में शिफ्ट की गई हैं। पीक्स उन ऊर्जाओं पर दिखाई देते हैं जो डिराक कोन्स के बीच के ऑफसेट (जैसे, AA-BG के लिए $\sim 0.72$ eV) के अनुरूप हैं।
- ग्रुप II (AB-BG, ABA-TG, ABC-TG): पैराबोलिक बैंड्स और जटिल इंटरलेयर कपलिंग की विशेषता।
  - AB-BG: इलेक्ट्रॉन-होल एसिमेट्री दिखाता है। $\sim 0.36$ eV और $0.40$ eV पर पीक्स $\mu$ परिवर्तनों के विरुद्ध स्थिर हैं।
  - ABC-TG: सख्त इलेक्ट्रॉन-होल सिमिट्री प्रदर्शित करता है। इसमें "मेक्सिकन-हैट" डिस्पर्शन है जो $\sim 0.38$ eV पर विशिष्ट पीक्स की ओर ले जाता है।
केमिकल पोटेंशियल निर्भरता:
- AA-BG और AAA-TG में, $\mu$ बढ़ाने से पीक स्प्लिटिंग (रेडशिफ्ट/ब्लूशिफ्ट) और डिराक पॉइंट्स के पास ड्रूड-टाइप डायवर्जेंस होता है।
- AB-BG और ABA-TG में, जैसे-जैसे $\mu$ चार्ज न्यूट्रलिटी पॉइंट (CNP) से दूर जाता है, लो-एनर्जी पीक्स ब्लूशिफ्ट होते हैं, जबकि हाई-एनर्जी पीक्स स्थिर रहते हैं।
- ABC-TG में, विकास इलेक्ट्रॉन और होल डोपिंग के लिए मिरर-सिमेट्रिक है।

C. फोटोकरंट अनुमान (Photocurrent Estimations)

विशिष्ट स्थितियों के तहत ( $E_{dc} = 10^5$ V/m, $E_{\omega} = 10^7$ V/m):

ABA-TG (शिफ्ट करंट): लीनियर पोलराइजेशन के तहत 18.8 A/m (y-दिशा) की सेल्फ-ड्रिवन करंट उत्पन्न करता है। इसके लिए किसी DC फील्ड की आवश्यकता नहीं है।
जर्क करंट: सामग्री और पोलराइजेशन के आधार पर 2 से 26 A/m तक की करंट उत्पन्न करता है।
- एनिसोट्रॉपी (Anisotropy): नॉन-एक्सियल पोलराइजेशन के लिए करंट की दिशा DC फील्ड से लॉक नहीं होती है। $45^\circ$ पर लीनियर पोलराइजेशन के लिए, एक ट्रांसवर्स करंट घटक उभरता है, जो एनोमलस हॉल इफेक्ट (anomalous Hall effect) जैसा दिखता है।
- पोलराइजेशन संवेदनशीलता: लाइट पोलराइजेशन एंगल ( $\theta$ ) और फेज ( $\phi$ ) को बदलकर जर्क करंट के परिमाण और दिशा को इंजीनियर किया जा सकता है।

5. महत्व और निहितार्थ (Significance and Implications)

डिवाइस डिजाइन के सिद्धांत: यह कार्य वैंडर वाल्सс हेटेरोस्ट्रक्चर (van der Waals heterostructures) पर आधारित ट्यूनेबल, पोलराइजेशन-सेंसिटिव फोटोडिटेक्टर और एनर्जी हार्वेस्टिंग डिवाइस डिजाइन करने के लिए महत्वपूर्ण दिशा-निर्देश प्रदान करता है।
सेल्फ-पावर्ड बनाम फील्ड-असिस्टेड: यह एक ट्रेड-ऑफ को उजागर करता है: ABA-TG सेल्फ-पावर्ड ऑपरेशन (शिफ्ट करंट) प्रदान करता है लेकिन सिमिट्री आवश्यकताओं द्वारा प्रतिबंधित है, जबकि जर्क करंट सभी स्टैकिंग के लिए सार्वभौमिक प्रयोज्यता प्रदान करता है लेकिन इसके लिए बाहरी बायस की आवश्यकता होती है।
स्पेक्ट्रल इंजीनियरिंग: केमिकल पोटेंशियल ( $\mu$ ) और स्टैकिंग ऑर्डर के माध्यम से प्रमुख प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य (wavelength) को टेराहर्ट्ज़ से निकट-इन्फ्रारेड तक ट्यून करने की क्षमता, ब्रॉडबैंड, मल्टी-स्पेक्ट्रल ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक सेंसर बनाने की अनुमति देती है।
मौलिक भौतिकी: यह अध्ययन इंटरलेयर कपलिंग की भूमिका को स्पष्ट करता है, जो दिखाता है कि जटिल स्टैकिंग (जैसे ABC) सरल मोनोलेयर सुपरपोजिशन से भिन्न अद्वितीय ट्रांजिशन पथ बना सकती है।

निष्कर्षतः, यह शोध पत्र मौलिक सिमिट्री विश्लेषण और व्यावहारिक डिवाइस अनुप्रयोग के बीच के अंतर को पाटता है, यह प्रदर्शित करते हुए है कि स्टैकिंग ऑर्डर ग्राफीन में गैर-रेखीय फोटोकरंट को नियंत्रित करने के लिए एक शक्तिशाली 'नॉब' (knob) है।