Effects of InAlAs Barrier and Spacer Thicknesses on MOCVD-Grown InP-HEMTs for Enhancement-Mode Operation
Questo studio dimostra sperimentalmente che la riduzione dello spessore della barriera di InAlAs e l'ottimizzazione dello spessore dello spacer sono critiche per ottenere il funzionamento in modalità enhancement negli InP-HEMT cresciuti tramite MOCVD, evidenziando al contempo i compromessi intrinseci tra gli spostamenti della tensione di soglia, la mobilità elettronica, la corrente di fuga della porta e la transconduttanza.