Atomistic dynamics of early oxidation of Si upon ultra-short pulsed laser heating
Questo studio combina simulazioni di dinamica molecolare reattiva con la validazione sperimentale per dimostrare che l'ossidazione precoce del silicio sotto riscaldamento laser a impulsi ultra-brevi è governata da una transizione da una crescita trascurabile al di sotto del punto di fusione a una rapida formazione di ossido, controllata dalla diffusione, all'interno dello strato transitorio di silicio fuso.