Development of LGAD Sensor Technology on 12 inch Wafers for 3D Integration with advanced CMOS processes
Questo articolo riporta la progettazione, la simulazione e i test iniziali di sensori Low Gain Avalanche Diode (LGAD) fabbricati con tecnologia CMOS a 65 nm su wafer da 12 pollici, i quali sono stati sviluppati per dimostrare il full wafer-to-wafer hybrid bonding con circuiti integrati di lettura a 28 nm.
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Nel mondo della fisica delle particelle, vedere non significa solo catturare un'immagine; significa catturare un momento con una precisione impossibile. Quando le particelle subatomiche sfrecciano attraverso un rivelatore, lasciano dietro di sé tracce fugaci che scompaiono in una frazione di secondo. Per comprendere l'universo, gli scienziati hanno bisogno di sensori che possano registrare non solo dove è passata una particella, ma esattamente quando è arrivata, con una precisione di un trilionesimo di secondo. Per decenni, questi sensori e i cervelli elettronici che li leggono sono stati costruiti come pezzi separati, per poi essere incollati insieme. Questa separazione crea un collo di bottiglia, aggiungendo ingombro e rallentando il segnale. La nuova frontiera è fondere questi due componenti in un unico stack tridimensionale, permettendo al sensore di comunicare direttamente con il processore con quasi nessun ritardo. Ciò richiede un matrimonio tra due tecnologie molto diverse: i delicati sensori ad alta velocità necessari per catturare le particelle e i chip computerizzati avanzati usati per elaborare i dati, entrambi fabbricati su massicci wafer di silicio da dodici pollici.
Un team di ricercatori del Fermilab, dello SLAC National Accelerator Laboratory e del Lawrence Livermore National Laboratory ha compiuto un passo significativo verso questo obiettivo. Hanno progettato, costruito e iniziato a testare con successo un nuovo tipo di sensore ultra-veloce chiamato Low Gain Avalanche Diode, o LGAD, utilizzando un processo di fabbricazione standard per chip computerizzati. Questi sensori sono stati creati su wafer da dodici pollici utilizzando una tecnologia a sessantacinque nanometri, una scala tipicamente riservata all'elettronica ad alte prestazioni piuttosto che ai rivelatori di particelle. Il lavoro del team dimostra che è possibile fabbricare questi sensori specializzati insieme ai circuiti complessi necessari per leggerli, aprendo la strada a un futuro in cui interi strati di sensori e processori saranno legati insieme come fogli di vetro. Questa integrazione promette di creare rivelatori più sottili, più veloci e capaci di tracciare le particelle con una precisione senza precedenti.
Il progetto, finanziato dal Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, mirava a dimostrare che questi sensori avanzati potessero essere resi pronti per una fase di assemblaggio finale nota come bonding ibrido. In questo processo, un intero wafer di sensori verrebbe incollato direttamente su un intero wafer di chip di lettura, creando una struttura tridimensionale continua. Per prepararsi a questo, i ricercatori hanno fabbricato tre versioni distinte del sensore LGAD sullo stesso wafer di silicio. La prima era un design standard che utilizza una specifica disposizione di cariche elettriche per creare una regione di alta energia dove le particelle possono essere rilevate. La seconda versione, nota come sensore AC-coupled, separa il segnale dall'elettrodo utilizzando un sottile strato di isolamento, il che consente una migliore condivisione delle informazioni tra i pixel vicini. La terza versione, la più innovativa, è il sensore Deep Junction, che posiziona lo strato di rilevamento sensibile in profondità nel silicio anziché vicino alla superficie. Questo posizionamento profondo evita problemi elettrici ai bordi dei pixel, consentendo ai sensori di essere impacchettati molto più vicini tra loro senza perdere prestazioni.
Il processo di fabbricazione era un delicato gioco di equilibrio. Il team ha dovuto adattare un flusso standard di fabbrica di chip computerizzati, progettato per circuiti logici, per creare le specifiche condizioni elettriche necessarie per il rilevamento delle particelle. Gli erano stato permesso di modificare la quantità di energia e la quantità di atomi iniettati nel silicio per sintonizzare i sensori, ma i passaggi base del processo di fabbrica rimanevano invariati. Una sfida è stata la creazione delle connessioni elettriche per i sensori AC-coupled. Gli strati standard di isolamento nella fabbrica di chip erano troppo spessi per il metodo abituale, quindi il team ha usato ingegnosamente lo spazio tra due diversi strati metallici all'interno del chip per creare lo stoccaggio elettrico necessario. Ciò ha richiesto una regolazione attenta per garantire che i sensoli potessero funzionare correttamente entro le rigide regole del design del chip.
Per prevedere come questi sensori si sarebbero comportati prima ancora di essere costruiti, il team ha eseguito simulazioni computerizzate dettagliate. Questi modelli virtuali li hanno aiutati a capire come i campi elettrici si sarebbero mossi attraverso il silicio e come i sensori avrebbero risposto a diverse tensioni. Le simulazioni hanno mostrato che i sensori avrebbero avuto bisogno di livelli di tensione specifici per operare correttamente e che il sottile strato di silicio utilizzato in questo processo rendeva i sensori molto sensibili alle variazioni di tale tensione. I modelli informatici hanno anche aiutato il team a progettare gli anelli protettivi attorno ai sensori, assicurando che non si rompessero sotto l'alto stress elettrico. Queste simulazioni sono state cruciali per pianificare le diverse versioni dei sensori, permettendo ai ricercatori di testare varie combinazioni di proprietà elettriche senza sprecare tempo e materiali.
Una volta arrivati i wafer nei laboratori, è iniziata la fase di test. I ricercatori hanno prima controllato la salute elettrica di base dei sensori al buio e sotto la luce di un LED rosso. Hanno confrontato i sensori con lo speciale strato di guadagno rispetto a quelli senza, per misurare quanto il segnale fosse amplificato. I risultati hanno mostrato che i sensori stavano funzionando come previsto, con le versioni AC-coupled che mostravano un intervallo di amplificazione a tensioni compresi tra 116 e 160 volt. Le simulazioni al computer avevano previsto questi valori con una precisione sorprendente, solitamente entro dieci volt dalle misurazioni reali. Il team ha anche scoperto che i sensori standard richiedevano tensioni leggermente più elevate per operare rispetto a quelli AC-coupled, una differenza causata dalla specifica configurazione elettrica del design AC.
Per testare quanto velocemente potessero reagire i sensori, il team ha sparato un laser e un fascio di particelle radioattive contro i dispositivi. Gli impulsi laser erano estremamente brevi, permettendo al team di misurare l'istante esatto in cui il sensore reagiva. I risultati sono stati impressionanti. Per un piccolo sensore, la risoluzione temporale ha raggiunto i 40 picosecondi, ovvero 40 trilionesimi di secondo. Quando hanno testato un sensore ancora più piccolo, la risoluzione è migliorata a 23 picosecondi. Questi numeri confermano che i sensori possono catturare il tempo degli eventi delle particelle con l'estrema precisione richiesta dai futuri esperimenti. I sensori Deep Junction, pur mostrando promesse con una buona velocità e amplificazione, si sono rivelati un po' più temperamentali. Hanno mostrato una deriva lenta nelle loro proprietà elettriche nel tempo, rendendo le misurazioni dettagliate più difficili, ma hanno comunque dimostrato la capacità di rilevare efficacemente le particelle.
Il lavoro non finisce con questi test iniziali. I ricercatori stanno attualmente legando i wafer dei sensori ai chip di lettura per vedere come lavorino insieme in un pacchetto completamente integrato. Stanno anche pianificando di testare i sensori sotto una radiazione intensa per garantire che possano sopravvivere agli ambienti ostili dei futuri collisionatori di particelle. Un nuovo lotto di wafer con proprietà elettriche leggermente diverse è già in arrivo per perfezionare ulteriormente il design. Il successo di questo progetto segna una svolta nella tecnologia dei rivelatori. Dimostrando che questi sensori ad alta velocità possono essere realizzati utilizzando processi standard di chip computerizzati e integrati in stack tridimensionali, il team ha aperto la porta a una nuova generazione di rivelatori. Questi futuri dispositivi saranno in grado di tracciare le particelle in cinque dimensioni — posizione, tempo e angolo — fornendo un livello di dettaglio che potrebbe rivelare nuovi segreti sui mattoni fondamentali del nostro universo.
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