Development of LGAD Sensor Technology on 12 inch Wafers for 3D Integration with advanced CMOS processes
本文报告了在 12 英寸晶圆上采用 65 nm CMOS 工艺制造的低增益雪崩二极管(LGAD)传感器的设计、仿真及初步测试情况,这些传感器旨在展示与 28 nm 读取集成电路(ROIC)的全晶圆对晶圆混合键合技术。
原始论文采用 CC BY 4.0 许可(http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。 这是对下方论文的AI生成解释。它不是由作者撰写或认可的。如需技术准确性,请参阅原始论文。 阅读完整免责声明
在粒子物理学的世界里,观测不仅仅是捕捉图像,更是以不可能的精度捕捉瞬间。当亚原子粒子穿过探测器时,它们会留下转瞬即逝的痕迹,并在极短的时间内消失。为了理解宇宙,科学家需要能够记录不仅是粒子经过的位置,还有其到达精确时间的传感器,其精度需达到万亿分之一秒。几十年来,这些传感器及其读取数据的电子大脑一直被作为独立的部件制造,然后粘合在一起。这种分离造成了瓶颈,增加了体积并减慢了信号传输。新的前沿是将这两个组件融合为一个三维堆叠体,使传感器能够几乎无延迟地直接与处理器通信。这需要两种截然不同的技术的结合:用于捕捉粒子的精密、高速传感器,以及用于处理数据的先进计算机芯片,两者都制造在巨大的十二英寸硅晶圆上。
来自费米实验室(Fermilab)、SLAC国家加速器实验室和劳伦斯利弗莫尔国家实验室的研究团队在实现这一目标方面迈出了重要一步。他们成功设计、制造并开始测试一种新型超快传感器,称为低增益雪崩二极管(LGAD),该传感器采用了标准的计算机芯片制造工艺。这些传感器是在十二英寸晶圆上使用六十五纳米技术制造的,这一规模通常保留给高性能电子设备而非粒子探测器。团队的工作证明,利用制造复杂电路的工艺来制造这些专门的传感器是可能的,这为未来将整层传感器和处理器像玻璃片一样键合在一起铺平了道路。这种集成有望创造出更薄、更快且能够以空前精度追踪粒子的探测器。
这项由美国能源部资助的项目,旨在证明这些先进传感器可以为被称为“混合键合”的最终组装步骤做好准备。在这种工艺中,一整片传感器晶圆将直接粘合在一整片读取芯片晶圆上,从而创建一个无缝的三维结构。为了准备这一步,研究人员在同一块硅晶圆上制造了三种不同版本的LGAD传感器。第一种是标准设计,它利用特定的电荷排列来创建一个高能区域,以便探测粒子。第二种版本被称为交流耦合(AC-coupled)传感器,它通过一层薄薄的绝缘层将信号与电极分离,从而实现相邻像素之间更好的信息共享。第三种也是最创新的版本是深结(Deep Junction)传感器,它将敏感检测层置于硅内部较深处而非表面。这种深层放置避免了像素边缘的电气问题,使得传感器可以靠得更近而不会损失性能。
制造过程是一个微妙的平衡过程。团队必须调整标准的计算机芯片工厂流程(该流程旨在用于逻辑电路),以创造粒子探测所需的特定电气条件。他们被允许微调注入硅中的能量和原子数量来调节传感器,但工厂工艺的基本步骤保持不变。其中一个挑战是为交流耦合传感器创建电气连接。芯片工厂中的标准绝缘层太厚,无法使用常规方法,因此团队巧妙地利用了芯片内两个不同金属层之间的空间来创建必要的电容存储。这需要仔细调整,以确保传感器在严格的芯片设计规则下能够正常工作。
为了在建造之前预测这些传感器的行为,团队运行了详细的计算机模拟。这些虚拟模型帮助他们理解电场如何在硅中移动,以及传感器如何响应不同的电压。模拟显示,传感器需要特定的电压水平才能正常工作,并且该工艺中使用的薄层硅使得传感器对电压变化非常敏感。计算机模型还帮助团队设计了传感器周围的保护环,确保它们在高电场压力下不会发生击穿。这些模拟对于规划不同版本的传感器至关重要,使研究人员能够在不浪费时间与材料的情况下测试各种电学属性的组合。
当晶圆运抵实验室后,测试阶段开始了。研究人员首先在黑暗环境和红色LED光照下检查了传感器的基本电气健康状况。他们对比了带有特殊增益层的传感器与不带增益层的传感器,以测量信号放大了多少。结果显示,传感器运行符合预期,交流耦合版本在116至160伏特电压之间表现出了一定范围的放大倍数。计算机模拟对这些数值的预测非常准确,误差通常在十伏特以内。团队还发现,标准传感器比交流耦合传感器需要略高的电压才能运行,这种差异是由交流设计的特定电气设置引起的。
为了测试传感器的反应速度,团队向设备发射了激光和放射性粒子束。激光脉冲极短,使团队能够测量传感器的精确反应时刻。结果令人印象深刻。对于小型传感器,时间分辨率达到了40皮秒(即40万亿分之一秒)。当他们测试更小的传感器时,分辨率提升到了23皮秒。这些数字证实了传感器能够以未来实验所需的极端精度捕捉粒子事件的时序。深结传感器虽然展现了良好的计时和放大潜力,但表现得有些“任性”。它们表现出电学特性随时间缓慢漂移的现象,使得详细测量变得更加困难,但它们仍然展示了有效检测粒子的能力。
这项工作并未随着初步测试而结束。研究人员目前正在将传感器晶圆与读取芯片进行键合,以观察它们在完全集成的封装中如何协同工作。他们还计划在强辐射环境下测试传感器,以确保它们能在未来粒子对撞机的恶劣环境中生存。一批具有略微不同电学属性的新晶圆已经在途中,用于进一步完善设计。该项目的成功标志着探测器技术的转折点。通过证明这些高速传感器可以使用标准计算机芯片工艺制造并集成到三维堆叠中,团队为新一代探测器开启了大门。这些未来的设备将能够追踪粒子的五维特征——位置、时间和角度——从而提供足以揭示宇宙基本组成部分新秘密的细节水平。
您所在领域的论文太多了?
获取与您研究关键词匹配的最新论文每日摘要——附技术摘要,使用您的语言。