Electron transport in a 1.6~nm-thick double-gated (100) silicon nanosheet: A theoretical study accounting for phonon confinement and remote-phonon scattering
この理論的研究は、厚さ1.6 nmのシリコンナノシートにおいて、現実的なフォノン閉じ込め境界条件が室温移動度を著しく低下させ、高電界飽和速度を低下させる一方で、高κゲートスタックからのリモートフォノン散乱は低電界移動度に対しては無視できる程度の負の影響しか与えず、実際には電子を冷却することによって飽和速度を向上させることを示している。