373 件の論文
この論文は、時間的に非対称なパルスを用いた位相感度型 tip 増強和周波数発生分光法を開発し、非共鳴背景ノイズを抑制して微弱な分子振動信号を検出するとともに、回折限界を破るナノスケールでの表面分子構造や配向の精密解析を可能にしたことを報告しています。
テラヘルツ時空間計測を用いた単層および二層グラフェンのプラズモン動態の研究により、非相互作用モデルの予測を上回るドラード重量が観測され、これは相互作用とディラックフェルミオンの波動関数構造（擬スピン）の相互作用に起因し、量子物質における集団励起への新たな知見をもたらすことが示されました。
本論文は、長距離間谷交換相互作用による励起子の縦 - 横分裂を利用した励起子回折の測定を通じて、外部磁場なしで単層 WSe におけるワグナー結晶化を直接観測したことを報告している。
この論文は、室温において CsPbBr3 量子ドット超格子が個々の量子ドットに似た集団的な点滅と光子のバッチングを示すことを発見し、これが励起子 - 双励起子カスケード放出に起因するものであり、室温での量子光生成に向けた有望なプラットフォームであることを明らかにしたものである。
この論文は、グラフェンナノリボンヘテロ構造において、ラシュバ型スピン軌道相互作用と構造幾何学の相互作用がトポロジカル相転移を誘起し、界面に局在した頑健なトポロジカル状態を生成することを示しています。
本論文は、SiC 上のエピタキシャルグラフェン界面を原子レベルで清浄化することで HMTP 分子層におけるダビドフ分裂 exciton のマクロなコヒーレンスを実現し、暗励起子のダイナミクスを解明するスケーラブルな量子エミュレータプラットフォームを確立したものである。
本研究では、100 アト秒の時間分解能と 200 ナノメートルの空間分解能を備えた全光学的イメージング手法を開発し、従来の広視野透過光学顕微鏡において光の電場を直接可視化し、厚い MoTe2 フレークを通過・回折する際の散乱コントラストの遅延した立ち上がりやパルス広がり、ならびに光励起時の完全な面内ベクトル電場線の動態を初めて解明しました。
本論文は、SiC 上のグラフェンで被覆されたビスマセンが、バルクバンドギャップ内に保護された金属性エッジ状態を維持しつつ、自由状態よりも電子相関が強化された量子スピンホール状態を実現する堅牢かつ調整可能なプラットフォームであることを示しています。
この論文は、量子応用における低温環境で従来のアルミニウムや金に代わる超伝導ニオブ窒化物（NbN）を用いた表面弾性波（SAW）デバイスの作製と、超伝導・常伝導状態の転移に伴う伝送特性の大幅な制御（オン・オフ比 16 倍）を実証したものである。
第一原理計算により、単層 CrSBr の熱伝導率が格子振動の速度と寿命の組み合わせに起因して約 1.8 の大きな異方性を示し、長平均自由行程 phonon を抑制することでこの異方性を Flake サイズ制御によって調整可能であることを明らかにしました。
本研究は、三重項超伝導体候補であるウラン・テルル化物（UTe）において、磁場と電流パルスの制御によって超伝導臨界電流の高低状態を切り替え可能で、外部界面を必要としない本質的な超電導メモリ効果を実証したものである。
本論文は、メタルリードを介したマヨラナ・クーパーペアボックス間の RKKY 相互作用を利用して、ゲート電圧で連続的に制御可能な XY 交換相互作用や Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用など、任意のスピンの結合を設計可能であることを示し、マヨラナ・クーパーペアボックスが人工量子スピン系の実現に向けた汎用プラットフォームであることを立証している。
本論文は、g 行列形式を用いて平面シリコン MOS 量子ドットにおけるホールスピンの電気的駆動メカニズムを体系的に解析し、チャージノイズへの感受性が低く、かつラビ振動数が最大となる磁場方位を特定することで、CMOS 互換性を持つスピン量子ビットの高速かつコヒーレントな制御を実現する条件を明らかにしたものである。
本論文は、原子層堆積温度や酸化剤の選択、ゲート金属の組み合わせといったゲートスタックの材料工学が、シリコン量子ドットのキャリア移動度と低周波電荷ノイズに決定的な影響を与えることを実証し、特にポリシリコンゲートを用いた CMOS 工程デバイスが最も優れたノイズ特性と安定性を示すことを明らかにした。
本レビューは、二次元超伝導体ヘテロ構造における界面制御によって誘起される非従来型対称性やトポロジカル超伝導などの新奇量子状態のメカニズムを総括し、量子センシングやニューロモルフィック計算などの次世代量子技術への応用可能性を論じています。
この論文は、S と Se の非対称配位に起因する内蔵電場により電子 - 正孔の分離が促進され、高感度かつ広帯域の光検出特性を示す合金 TMDC（MoSSe）の合成、特性評価、および光検出器への応用可能性を報告したものである。
オプトミクロ波共鳴を用いた実験と理論モデルにより、CsPbIペロブスカイトナノ結晶において電子スピン寿命が 1.6 K で最大 0.9 ms に達すること、およびその温度依存性が 2 つの LO phonon ラマン過程によって説明されることを明らかにしました。
本論文は、垂直異方性を持つ磁性トンネル接合において、直流電流バイアスと熱揺らぎが共働してスピントルク共鳴の混沌状態を誘起・制御できることを理論的に示し、脳型計算への応用可能性を提唱している。
本論文では、強いゼーマン分裂を有する二次元電子系における粘性流体としての振る舞いを記述するため、2 成分電子流体の運動論的方程式を構築し、各成分のせん動粘性と成分間の摩擦効果を考慮した平衡流体力学方程式を導出した。
傾いたディラック/ワイル半金属において、電場障壁の角度を制御することで、磁場や擬似磁場などの二次効果を用いずに、純粋な静電的な手段で谷依存性の伝導を実現する谷フィルターを提案し、そのメカニズムを一般化された転送行列法とシミュレーションによって解明しました。