Superconducting Dome in Ionic Liquid Gated Homoepitaxial Strontium Titanate Thin Films
この論文は、ハイブリッド分子線エピタキシー法で成長させたホモエピタキシャル・ストロンチウムチタネート薄膜上にイオン液体ゲートを用いて二次元電子ガスを形成し、電子密度を制御することで従来の単結晶基板表面の 2DEG よりも高い 503 mK の臨界温度を示す超伝導ドームを実現し、その特性が BCS 理論やパラ伝導度モデルと整合的であることを報告したものである。