Cold source field-effect transistor with type-III band-aligned HfS/WTe heterostructure
本研究では、金属 - 半導体界面のショットキー障壁を排除するタイプ III バンドアライメントの 2 次元 HfS/WTe ヘテロ構造を用いたコールドソース FET を提案し、第一原理に基づく量子輸送シミュレーションにより、従来の MOSFET と同等のオン電流を維持しつつ、極めて高いオン/オフ比(約)と熱限界を下回る低いサブスレッショルド・スイング(41.3 mV/dec)を実現できることを示しました。