Low-Noise Quantum Dots in Ultra-Shallow Ge/SiGe Heterostructures for Prototyping Hybrid Semiconducting-Superconducting Devices
本論文は、超伝導層との親和性を高めるためにSiGe キャップ層を薄くした Ge/SiGe 異質構造において、低温酸化膜堆積プロセスを用いて低ノイズ量子ドットの実現可能性を実証し、ハイブリッド半導体 - 超伝導デバイスのプロトタイピングに有望なプラットフォームであることを示しています。