Efficiently gate-tunable ferromagnetism in ferromagnetic semiconductor-Dirac semimetal p-n heterojunctions
本論文は、分子線エピタキシー法により作製したトポロジカル半金属 CdAsと強磁性半導体 InMnAs の p-n ヘテロ接合において、 modest なゲート電圧(約 10 V)で強磁性転移温度を効率的に制御可能であることを実証し、トポロジカル半金属と強磁性体の相互作用による新たな物理現象の解明に寄与するプラットフォームを提示したものである。