Layer-Dependent Spin Properties of Charge Carriers in Vertically Coupled Telecom Quantum Dots
本研究は、時間分解ポンプ・プローブ・ファラデー楕円率測定を用いて、テレコムCバンド試料における垂直結合されたInAs/InAlGaAs量子ドット層の数を増やすことが、電子から正孔への滞留の遷移を誘起し、スピン脱位相および緩和のダイナミクスを変化させ、そして約13 nsのコヒーレンス時間を持つ正孔スピンのモードロッキングの観測を可能にすることを実証するものである。