Uncovering the properties of homo-epitaxial GaN devices through cross-sectional infrared nanoscopy
本論文は、散乱型走査近接場光学顕微鏡(s-SNOM)を用いて中赤外域とテラヘルツ域のスペクトルを組み合わせることで、ホモエピタキシャル GaN 素子のキャリア密度やサブ表面欠陥を従来の手法よりも高解像度かつ高感度で非破壊評価できることを実証したものである。
Hossein Zandipour, Felix Kaps, Robin Buschbeck, Maximilian Obst, Aditha Senarath, Richarda Niemann, Niclas S. Mueller, Gonzalo Alvarez-Perez, Katja Diaz-Granados, Ryan A Kowalski, Jakob Wetzel, Raghunandan Balasubramanyam Iyer, Matthew Wortel, J. Michael Klopf, Travis Anderson, Alan Jacobs, Mona Ebrish, Lukas M. Eng, Alexander Paarman, Susanne C. Kehr, Joshua D. Caldwell, Thomas G. FollandWed, 11 Ma🔬 cond-mat.mtrl-sci