4119 件の論文
材料科学と凝縮系物理学の境界領域は、私たちの日常を支える新しい物質の発見と設計を探求する分野です。ここで取り扱われる研究は、半導体から超伝導体まで、未来のエネルギーや電子機器の基盤となる材料の振る舞いを解明するものです。
Gist.Science は、arXiv に投稿されるこの分野の最新プレプリントをすべて収集し、専門用語に頼らない平易な解説と、詳細な技術的な要約の両方を提供しています。これにより、研究者だけでなく、一般の方でも最先端の知見にアクセスできるようになりました。
以下に、このカテゴリから厳選した最新の論文リストを掲載します。
本研究は、銅のコア電子に対して修正ハートリーフォック擬ポテンシャルを採用しつつ、価電子に対しては（セミ）局所汎関数を保持することで、伝播する密度誤差を排除し、それによって50種類以上の閉殻銅半導体においてバンドギャップと格子定数の両方で高い精度を同時に達成できることを実証している。
本論文は、未探索の高屈折率材料を特定するために光学吸収端に基づく修正モスの法則を導入しており、カルコナイト系（Hf,Zr）2(S,Se)N2ファミリーが次世代フォトニクス応用において最先端のTiO2やSiCと比較して優れた光学特性を提供することを明らかにしている。
広範な温度範囲における超高速コヒーレントフォノン分光法を用いることで、研究者らは、T-WTeにおける高周波光学フォノンモードは従来の非調和散乱に従う一方で、低周波の2.4 THzモードはフォノン－電子散乱に起因する異常な挙動を示すことを特定した。
本研究は、Rec相におけるSb/Au(111)表面の電子構造が、折り畳まれたフェルミポケットを生成する再構成誘起のアンプレップ散乱と、基礎となるAu由来のバンドを修飾する顕著なSb-Au軌道混成との相互作用によって支配されていることを明らかにしている。
本研究は、ケルビン探針力顕微鏡を用いて、AEAPTMSによる分子パッシベーションが電子的な無秩序を緩和することにより、混合カチオンペロブスカイト薄膜における表面電位を均一化し、粒界障壁を低減し、光電圧安定性を向上させることを実証するものである。
本論文は、試料回転と新たなボクセル強度に基づく定式化を含む高度なFIBトモグラフィー手法を導入することで、多孔質GaN薄膜のキャラクタリゼーションにおける特徴的な解像度を大幅に向上させ、ポアバックエフェクトを効果的に定量化および軽減する手法を提案するものである。
本研究は、格子材料設計のための遺伝的アルゴリズムのハイパーパラメータを効率的にチューニングするために、ベイズ最適化とガウス過程、CNN、およびFFTサロゲートを組み合わせたマルチフィデリティ・フレームワークを導入し、変異の必要性を排除しつつ、計算コストを24%削減しながら25世代で同等の機械的性能を達成するものである。
本研究は、プローブ粒子シミュレーションを用いて、三次元力場から導出される力等値面イメージングが、分子骨格の詳細を保持し、非平面および三次元分子の定量的な配向回復を可能にすることで、従来の高分解能AFMの限界を効果的に克服できることを実証するものである。
本研究は、単結晶BiOSeにおける高温電子移動度の最適化には、Se過剰な成長条件を最小限に抑えることが必要であることを明らかにしており、なぜなら、それらの条件はBiO輸送チャネルを劣化させ、有効質量を増大させ、キャリア濃度の上昇とともに移動度が向上するという直感に反する傾向を生み出す置換欠陥や構造的不均一性を誘起するためである。
本研究は、高結晶性とサブナノメートルオーダーの粗さを有する化学量論的な(111)配向SrTiO3薄膜が、特に下地の白金テンプレートが高次のエピタキシャル成長を確保するために高温で堆積された場合に、Pt(111)/Al2O3基板上でrfマグネトロンスパッタリングにより正常に成長できることを実証している。