Chemical tuning of electronic and transport properties of the Bi-Se-Te family of topological insulators
レーザーを用いた角度分解光電子分光法により、Bi-Se-Te 系トポロジカル絶縁体においてテルル置換量の増加が化学ポテンシャルを低下させ、体積バンドに起因する状態密度を減少させることで金属的挙動から半導体的挙動への転移を引き起こし、高濃度では金属的なトポロジカル表面状態が伝導を支配する状態を実現することを明らかにした。