Field-Driven Hybrid Filament Formation Governs Switching in Ta-HfO-Pt Memristors
本研究は動的電荷移動を伴う分子動力学シミュレーションを用いて、Ta/HfO/Pt メモリスタのスイッチングが Ta 陽イオンと酸素空孔の両方からなるハイブリッドフィラメントの電界駆動形成によって支配されることを明らかにし、初期欠陥配置がフィラメントの形態を決定づける仕組みを示すとともに、デバイスのばらつきを低減するための堅牢な枠組みを提供する。