Buried Stressor Engineering for Position-Controlled InGaAs Quantum Dots with Local Density Variation for Integrated Quantum Photonics
本論文は、埋め込み応力源法を用いた位置制御型 InGaAs 量子ドットの単一チップ集積化を実現し、局所的な密度制御と高精度な位置決めを通じて、単一光子源とマイクロレーザーを統合した高機能量子フォトニクスモジュールの構築への道を開いたことを報告しています。