Hydrostatic Pressure Driven Band Gap Tuning and Self-Trapped Exciton Formation in (4FPEA)SnBr Halide Perovskite
2 次元スズハライドペロブスカイト (4FPEA)SnBr において、室温ではバンド端励起子が、低温では自己捕捉励起子(STE)が支配的であり、加圧により前者は赤方偏移する一方、後者は異常な青方偏移を示すという特異な応答が観測され、これは格子剛性や誘電率遮蔽が STE の安定化に重要であることを示唆しています。