Substrate induced optimization of the Electrocatalytic Hydrogen Evolution Reaction (HER) performances of MoS2 thin film
パルスレーザー堆積法を用いて異なる基板上に成長させた MoS2 薄膜の構造と電気触媒特性を調査した結果、Al2O3 基板上で界面相互作用により準安定な 1T 相が安定化され、電荷移動効率と電気化学的活性表面積が向上することで、水素発生反応(HER)の性能が最適化されることが示されました。