4338 件の論文
材料科学と凝縮系物理学の境界領域は、私たちの日常を支える新しい物質の発見と設計を探求する分野です。ここで取り扱われる研究は、半導体から超伝導体まで、未来のエネルギーや電子機器の基盤となる材料の振る舞いを解明するものです。
Gist.Science は、arXiv に投稿されるこの分野の最新プレプリントをすべて収集し、専門用語に頼らない平易な解説と、詳細な技術的な要約の両方を提供しています。これにより、研究者だけでなく、一般の方でも最先端の知見にアクセスできるようになりました。
以下に、このカテゴリから厳選した最新の論文リストを掲載します。
本論文は、Cu-Ni 粉末の圧縮成形と MOCVD 法を組み合わせた簡易な 2 段階プロセスにより、Cu-Ni 合金粒をテンプレートとして利用し、3 次元的に連結した六方晶窒化ホウ素（hBN）ネットワークを内包する Cu-Ni 複合材料をin situ 合成し、その微細構造と機械的・熱的・化学的耐性向上の可能性、および生体医学やエネルギー貯蔵への応用が期待される泡沫状 hBN の抽出について報告したものである。
本論文は、ハロゲン組成と Mn ドープを制御することで、室温におけるオゾン検出の感度、安定性、および反応メカニズムを最適化したペロブスカイトガスセンサーの開発に向けた包括的な研究を報告するものである。
本研究は、ニッケルイオンとの協調作用により環境中の水を利用してキトサンをガラス化し、湿潤状態でも強度が増加し、かつ廃棄物ゼロで生分解性を保つ新たなプラスチック代替材料の開発に成功したことを報告しています。
この論文は、GFN1-xTB 法を用いた計算研究により、C、N、O、Mg、Al、Si、S、Ca、Fe、Ni といった主要元素の非晶質珪酸塩塵への結合エネルギーを初めて第一原理から算出し、その値が塵の安定性や進化、および表面化学反応のモデル化に不可欠な入力データを提供することを明らかにした。
TiSe における第一原理計算により、高温相に励起子絶縁体を支持するソフト電子モードが存在しないことが示され、CDW 相の形成は主に格子歪みに起因するが、転移温度近傍では励起子絶縁体揺らぎが関連する可能性が示唆された。
この論文は、同位体濃縮されたSi 中の P、As、Sb ドナーについて、精密に制御された一軸応力および磁場下で中性ドナーからドナー束縛励起子への遷移を包括的に実験研究し、ドナー固有の歪みポテンシャルやより複雑なひずみ結合メカニズムを明らかにすることで、シリコン量子デバイスの設計に不可欠なパラメータセットを提供するものである。
本論文は、揺らぐ多孔質膜における空隙率の時間的・空間的変動が流体の透過率に与える影響を、揺らぐダルシーモデルと摂動論を用いて解析し、静的な膜と比較して透過率が大きく変化することを示すとともに、呼吸運動やフォノン、能動的な励起など様々なマトリックス励起モデルへの適用を通じて膜分離技術の最適化への示唆を与えています。
この論文は、密度と異方性の勾配を組み合わせた二次元機能性gradedメタ材料を用いて、剛性の異なる媒質間の弾性波（縦波と横波、あるいは半径方向と接線方向）のモード変換を効率的に実現し、その有効性を数値解析および3D 印刷された試料による実験で実証したことを報告しています。
本論文は、機械学習を用いた高効率な逆設計手法を開発し、負のポアソン比と負の熱膨張係数を同時に実現するバイマテリアルハイブリッドハニカム構造の熱弾性メタマテリアルを、所望の特性に最適化して設計する手法を提案したものである。
本研究は、ハイブリッド分子線エピタキシー法で成長させた SrSnO 通道と ALD 法による HfO ゲート絶縁膜を用いた高性能トポゲート型 MOSFET を実証し、高い移動度やオン/オフ電流比、低接触抵抗など優れた特性を示すことで、SrSnO が高性能パワー電子応用に向けた有望な超広帯域ギャップ酸化物半導体プラットフォームであることを明らかにしました。