Kilovolt-class Vertical (011) \b{eta}-Ga2O3 Schottky Diodes for High Voltage and High Temperature Applications
本論文は、エッジ終端にTiO/AlOフィールドプレートを用いた、最大4.16 kVの優れた耐圧を実現し、かつ150°Cまで極めて低いリーク電流を伴う優れた整流性能を維持するキロボルト級垂直(011) -GaOショットキーダイオードの開発について報告するものであり、高電圧および高温電力用途への高い潜在性を示している。