Engineering Ferromagnetism in Wide Bandgap w-AlN for Spintronic Applications: Insights from DFT Calculations
本研究は、スピン偏極密度汎関数理論を用いて、Crをドープしたw-AlNが、室温で絶縁体から半金属および金属状態へと転移可能な、安定したワイドバンドギャップ強磁性半導体であることを示し、一方でRuおよびRhをドープした変種は強磁性状態で不安定であることを明らかにしており、Crをドープしたw-AlNがスピントロニクス応用への有望な候補であることを強調している。