A general formula for the amplitude-frequency ratio in shaking induced Mott insulator of atomtronic transistors
本論文は、揺さぶられた二重ウェル・アトロニクス系においてモット絶縁体から導電体への転移を誘起するために必要な振幅-周波数比の一般式を提示しており、瞬時固有状態近似が従来の定常的な有効ハミルトニアン法よりも広い有効パラメータ範囲を持つことを実証するとともに、絶縁効果が原子波束のコヒーレントな局在化に起因することを明らかにしている。