FerBo: a noise resilient qubit hybridizing Andreev and fluxonium states
本論文は、アンドレーエフ準位と LC 回路の電磁モードのハイブリッド化による緩和耐性、およびフラクソニウム量子ビットと同様の位相空間における波動関数の非局在化による脱位相耐性を兼ね備えた、新しい超伝導量子回路「FerBo」を提案しています。
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745 件の論文
超伝導は、電気抵抗がゼロになり、磁場を完全に跳ね返す不思議な現象を研究する分野です。物質の低温での振る舞いや、新しい素材の開発を通じて、エネルギー効率の高い送電や高速な医療画像診断など、私たちの未来を支える技術の鍵を握っています。
Gist.Science では、arXiv に投稿された超伝導に関するすべての新しいプレプリント論文を自動的に収集し、専門的な技術的な要約と、誰でも理解できる平易な解説の両方を提供しています。最新の研究成果を、難解な数式や用語に惑わされずにチェックしてみましょう。
以下に、この分野で直近に発表された論文の一覧を掲載します。
Superconductivity and Electron Correlations in Kagome Metal LuOs3B2
理想的なオスミウム基ケイジメ格子を持つ LuOs3B2 において、Tc=4.63 K の超伝導が観測され、電子相関効果やスピン軌道結合の影響を伴うケイジメバンド構造の特性が包括的に解明されました。
Measuring Reactive-Load Impedance with Transmission-Line Resonators Beyond the Perturbative Limit
この論文は、摂動近似を超えて超伝導伝送線路共振器の負荷から回路パラメータや損失正接を抽出するための解析的枠組みを開発し、六方晶窒化ホウ素の誘電率や損失正接の高精度な抽出を実証したものである。
Effect of doping on the electronic structure, orbital-dependent renormalizations, and magnetic correlations in bilayer LaNiO
DFT+dynamical mean-field theoryを用いた研究により、LaNiOにおけるドーピングが軌道依存の電子相関や磁気相関に非単調な影響を与え、リフシュッツ遷移やスピン・電荷縞揺らぎを通じて圧力誘起超伝導に重要な役割を果たすことが示されました。
Oxide-nitride heteroepitaxy for low-loss dielectrics in superconducting quantum circuits
本研究では、パルスレーザー堆積法で成長させた TiN/-AlO/TiN 異種エピタキシャル構造を用いて、超伝導量子回路向けの低損失誘電体として単結晶 -AlO の内在的二準位系損失が極めて低いことを初めて実証し、その有効性を確立しました。
Altermagnetic-doping interplay as a route to enhanced d-wave pairing in the Hubbard model
アルターマグネティズムとドーピングの相互作用が Hubbard モデルにおいて d 波対称性を強化し、強いスピン異方性下では d+p 混合対称状態を安定化させて超伝導転移温度の向上をもたらすことが、強結合解析と量子モンテカルロシミュレーションによって示されました。
Pressure-enhanced superconductivity and its correlation with suppressed resistance dip in (La,Pr)3Ni2O7 films
La3Ni2O7 薄膜において、外部圧力が臨界温度を向上させるだけでなく、酸素空孔に起因すると考えられる抵抗の谷を抑制してゼロ抵抗状態を実現するメカニズムが明らかにされました。
Emergent superconductivity and non-reciprocal transport in a van der Waals Dirac semimetal/antiferromagnet heterostructure
ZrTeと FeTe のヘテロ界面において 2 次元超伝導が誘起され、特に CrTeでキャップされた構造では磁気キラリティ非対称性が大幅に増幅され、29% の効率を持つ超伝導ダイオード効果も観測された。
Superconducting Dome in Ionic Liquid Gated Homoepitaxial Strontium Titanate Thin Films
この論文は、ハイブリッド分子線エピタキシー法で成長させたホモエピタキシャル・ストロンチウムチタネート薄膜上にイオン液体ゲートを用いて二次元電子ガスを形成し、電子密度を制御することで従来の単結晶基板表面の 2DEG よりも高い 503 mK の臨界温度を示す超伝導ドームを実現し、その特性が BCS 理論やパラ伝導度モデルと整合的であることを報告したものである。
Structural reconstruction as the origin of the cuprate pseudogap
本論文は、銅酸化物高温超伝導体の擬ギャップ状態におけるフェルミ面の再構成やキャリア密度の低下、フェルミ弧の出現といった特徴的な現象が、実験的に観測された構造再構成とスピン軌道相互作用に起因する格子対称性の副格子自由度によって統一的に説明できることを示しています。