Field-Induced SIT in Disordered 2D Electron systems: The case of amorphous Indium-Oxide thin films
本論文は、従来のボソン - 渦対称性に依存しない時間依存ギンツブルグ - ランドau 理論に基づく新しい枠組みを提案し、アモルファス酸化インジウム薄膜における磁場誘起超伝導体 - 絶縁体転移を、磁場増大に伴うコパ対揺らぎの凝縮・局在および量子トンネリングによる粒子対の崩壊というメカニズムで定量的に説明し、実験データと良好な一致を示したものである。