Internal Charge Amplification in Germanium at 77K and 4K: From Single-Free-Flight Bounds to a Physics-Informed Ionization Model
本論文は、77K および 4K におけるゲルマニウム内部電荷増幅の臨界電界を予測するため、単一自由飛行の上限と物理的散乱・非放物性分散などを考慮したインパクトイオン化モデルを統合し、設計に有用な閉形式の式と較正ワークフローを提案するものである。