Flux Trapping Characterization for Superconducting Electronics Using a Cryogenic Widefield NV-Diamond Microscope
この論文は、超伝導電子回路の信頼性とスケーラビリティを制限する磁束トラッピングの問題を解決するため、超伝導デバイス内の磁束の捕捉を迅速かつ高解像度で可視化できる新しい低温広視野 NV ダイヤモンド顕微鏡を開発し、Nb 薄膜やパターン化ストリップにおける磁束の排除挙動を理論モデルと照合して実証したことを報告しています。