Quantum communication networks with defects in silicon carbide
この論文は、光学的遷移、長いスピンコヒーレンス寿命、および半導体デバイスとの統合可能性を備えた炭化ケイ素(SiC)の欠陥が量子通信ネットワークのノードとして有望であることを示し、主要な欠陥とスピン - 光子インターフェースの概要を述べるとともに、メモリ強化型プロトコルをモデル化して直接リンクの性能を上回るために必要なパラメータを抽出し、大規模ネットワークへの展開に向けた鍵となるステップを要約しています。