Transmission Line Method Characterization of Thermally Evaporated Al/Cr/Au Contacts on AlGaN/GaN-on-Silicon Carbide Heterostructures
본 연구는 AlGaN/GaN-on-SiC 이종 구조 상에 열 증착된 Al/Cr/Au 접합이 850°C에서 47초 동안 어닐링될 때, 전송선 모델 특성 분석을 통해 검증된 바와 같이 고주파 및 고전력 GaN 소자 응용에 적합한 저저항 오믹 계면을 형성함을 입증한다.