Highly Efficient Exciton Modulation in MoSe/PdSe Heterostructures
Dit artikel toont aan dat het construeren van een type-I MoSe/PdSe van der Waals-heterostructuur de A-exciton-emissie bij kamertemperatuur met ongeveer een factor zes verhoogt door interlaag elektronische koppeling die excitonpopulaties naar stralende kanalen omleidt, waardoor een kwantumopbrengst van 6% wordt bereikt zonder chemische modificatie of spanning.