A hole spin resilient to dipole-induced thermal effects
Deze studie demonstreert experimenteel dat de thermische susceptibiliteit van een enkele gatenspin in silicium, die schadelijke Larmor-frequentieverschuivingen veroorzaakt, voortkomt uit spin-orbitaal geïnduceerde elektrische dipolen en volledig geannuleerd kan worden door de hoek van het magnetisch veld af te stemmen om een thermisch robuust "sweet spot" te creëren.