Reducing strain fluctuations in quantum dot devices by gate-layer stacking
Dit artikel toont door middel van numerieke modellering aan dat kortbereik-rekfluctuaties in Si/SiGe-kwantumdot-apparaten, veroorzaakt door metalen poortelektroden, bijna volledig onderdrukt kunnen worden door de diktes van overlappende poorten en de tussenliggende oxidelagen te optimaliseren om tegengestelde rekmechanismen in evenwicht te brengen.