Efficiently gate-tunable ferromagnetism in ferromagnetic semiconductor-Dirac semimetal p-n heterojunctions
Deze studie demonstreert dat de ferromagnetische Curietemperatuur in een gate-tunbare p-n-heteroverbinding van het Dirac-halfgeleider Cd3As2 en het ferromagnetische halfgeleider In1−xMnxAs efficiënt kan worden gestuurd met een bescheiden gate-spanning, wat wijst op een cruciale interactie tussen de Dirac-elektronen en het magnetisme.
Emma Steinebronn, Saurav Islam, Abhinava Chatterjee, Bimal Neupane, Alex Grutter, Christopher Jensen, Julie A. Borchers, Timothy Charlton, Wilson J. Yanez-Parreno, Juan Chamorro, Tanya Berry, Supriya Ghosh, K. A. Nivedith, K. Andre Mkhoyan, Tyrel McQueen, Yuanxi Wang, Chaoxing Liu, Nitin SamarthMon, 09 Ma🔬 cond-mat.mes-hall