Oxide-nitride heteroepitaxy for low-loss dielectrics in superconducting quantum circuits
In dit werk wordt de eerste directe meting van het lage intrinsieke dielektrische verlies van epitaxiale -AlO in een TiN-groeipatroon gepresenteerd, waarmee deze hetero-epitaxiale oxide-nitride structuur wordt bevestigd als een veelbelovend materiaalplatform voor supergeleidende kwantumcircuits.