Revealing Charge Transfer in Defect-Engineered 4H-TaS
Dit artikel presenteert een uitgebreide eerste-principes-studie van meer dan 90 defecten in 4Hb-TaS2, waarbij met behulp van DFT-berekeningen de microscopische aard en de impact op ladingsoverdracht tussen de lagen worden onthuld om een fundamentele basis te leggen voor defect-engineering.