Chemical tuning of electronic and transport properties of the Bi-Se-Te family of topological insulators
Dit onderzoek toont aan dat chemische substitutie van Se door Te in Bi₂Se₃₋ₓTe₃ het chemisch potentieel verlaagt, wat leidt tot een overgang van metaalachtig naar halfgeleidend gedrag en bij hoge Te-concentraties de dominante transportrol van de metalen topologische oppervlaktoestanden blootlegt.