Anomalous mass renormalization in two-dimensional electron systems on ultra-wide bandgap semiconductor -GaO
Deze studie maakt gebruik van micro-gefocuste ARPES en zelfconsistente modellering om te onthullen dat een tweedimensionaal elektronensysteem in ultra-brede bandgap -GaO een afwijkende, bijna tweevoudige toename in elektronmassa vertoont bij hoge ladingsdragersdichtheden, wat wijst op een massa-renormalisatie die afwijkt van conventionele op screening gebaseerde voorspellingen.