An ultra-wide-bandgap semiconductor photodetector for linear measurement of bright sub-bandgap light
Dit artikel toont aan dat sub-bandgap AlN-fotodetectoren, ontworpen met specifieke dopantontwerpen en contactstructuren om een smalle ruimtegeladen regio te creëren, een niet-verzadigende, lineaire respons bereiken op ultrahelder blauw licht en verhoogde temperaturen door gebruik te maken van diepe defect-gemedieerde fotorepons, waardoor betrouwbare detectie in extreme industriële en luchtvaartomgevingen mogelijk wordt.