Symmetry Adapted Analysis of Screw Dislocation: Electronic Structure and Carrier Recombination Mechanisms in GaN
Dit artikel presenteert een symmetrie-gebaseerde analyse van schroefdislocaties in GaN die, door de exacte algebra van de dislocatiegroep te herstellen, aantoont dat piezo-elektrische effecten in de kern de stralende recombinatie sterk onderdrukken en zo de lichtopbrengst van opto-elektronische apparaten beperken.