🔬 Category

cond-mat.mtrl-sci

2692 papers

De categorie Materiaalwetenschappen op Gist.Science duikt in de fascinerende wereld van de fysica van gecondenseerde materie, waar onderzoekers nieuwe materialen ontdekken en hun unieke eigenschappen bestuderen. Van supergeleiders tot slimme polymeren, dit vakgebied vormt de basis voor innovaties die onze dagelijkse technologie en toekomstige industrieën vormgeven. Onze missie is om deze complexe wetenschap toegankelijk te maken voor iedereen, van studenten tot professionals buiten de directe onderzoekswereld.

Elke nieuwe preprint in dit domein wordt rechtstreeks vanuit arXiv gehaald en zorgvuldig verwerkt door ons team. We bieden niet alleen gedetailleerde technische samenvattingen voor experts, maar ook heldere, alledaagse uitleg die de kern van het onderzoek duidelijk maakt zonder jargon. Zo blijft u up-to-date met de snelste ontwikkelingen zonder verdwaald te raken in formules.

Hieronder vindt u de meest recente publicaties uit de categorie Materiaalwetenschappen, direct uitgewerkt en samengevat voor uw gemak.

Mesh Graph Neural Network Framework for Accelerating Finite Element Simulation for Arbitrary Geometries

Dit artikel introduceert een translatie- en rotatie-invariante Mesh Graph Neural Network (MGN) framework dat succesvol generaliseert om von Mises-spanning velden in 2D structurele componenten met willekeurige gatgeometrieën en ongeziene belastingscondities te voorspellen, waarbij het conventionele machine learning-modellen aanzienlijk overtreft in nauwkeurigheid en adaptiviteit voor eindige-elementenanalyse.

Josiah D. Kunz, Kamal Choudhary2026-06-09🔬 cond-mat.mtrl-sci

First-Principles Insights into Surface and Ligand Effects in Stoichiometric HgTe Quantum Dots

Deze studie maakt gebruik van atomistische simulaties om te onthullen hoe grootteafhankelijke oppervlaktecoördinatie en ligandpassivering de elektronische structuur van stoichiometrische HgTe-quantum dots beheersen, waarbij wordt aangetoond dat neutrale liganden gelokaliseerde oppervlakte-toestanden effectief elimineren en een chemische handvat bieden voor het ontwerpen van frontier-toestanden die relevant zijn voor mid-infrarood opto-elektronica.

Raagya Arora, Patrick J. Lohr, Dibyajyoti Ghosh, Jennifer Hollingsworth, Sergei Tretiak2026-06-09🔬 cond-mat.mtrl-sci

Information Entropy Based Crystal Structure Prediction of Chemically Disordered Alloys via Graph Convolutional Neural Networks

Dit artikel stelt een informatietheoretische benadering voor voor het voorspellen van de fasestabiliteit van chemisch ongeordende legeringen door alchemistische Monte Carlo-sampling te combineren met een Graph Convolutional Neural Network-model en een op informatie-entropie gebaseerde metriek, waarbij de effectiviteit ervan wordt aangetoond over binaire tot quinaire systemen waar conventionele methoden voor computationele uitdagingen staan.

Suman Chabri, Gautam Anand2026-06-09🔬 cond-mat.mtrl-sci

Chiral-Angle-Controlled Altermagnetic Spin Splitting in Nanotubes

Dit artikel toont aan dat het oprollen van een tweedimensionale dd-golf altermagneet tot een nanotube de momentumafhankelijke spinsplitsing transformeert naar een chirale-hoek-gecontroleerde eendimensionale splitsing met een cos⁡(2θ)\cos(2\theta)-afhankelijkheid, waardoor dimensionale projectie wordt gevestigd als een algemene strategie voor het ontwerpen van spin-gesplitte kwantumtoestanden in laagdimensionale magnetische materialen.

Ersoy Sasioglu, Tom. G. Saunderson, Börge Göbel, Ingrid Mertig, Samir Lounis2026-06-09🔬 cond-mat.mes-hall

Chemical tuning of magnetic ordering and cryogenic magnetocaloric response in zircon-type Gd1-xErxVO4

Deze studie toont aan dat gedeeltelijke substitutie van Gd³⁺ door kleinere Er³⁺-ionen in zirkon-type Gd₁₋ₓErₓVO₄ systematisch de roosterparameters en magnetische interacties afstemt, waardoor de magnetocalorische prestaties bij lage temperaturen voor cryogene koeling effectief wordt geoptimaliseerd, waarbij de Gd₀,₉Er₀,₁VO₄-compositie een maximale magnetische entropieverandering van 45,1 J kg⁻¹ K⁻¹ bereikt onder een veld van 7 T.

Ming Zeng, Muqing Su, Liang Ming, Xiaolong Yang, Wang Chen, Lingwei Li, Hai-Feng Li2026-06-09✓ Author reviewed ⓘ🔬 physics.app-ph

Valley Engineering in Bilayer WSe2_2 Gate-All-Around Transistors

Dit artikel toont aan dat bilaag WSe2_2 de optimale kanaalmateriaal is voor valley-engineered gate-all-around transistoren, omdat de nabij-thermische K-Γ\Gamma valley-degeneratie bij kamertemperatuur via rek gelijktijdige verbetering van de aan-stroom en onderdrukking van de uit-stroom mogelijk maakt, terwijl een subthreshold swing nabij de thermionische limiet behouden blijft.

Katsunori Wakabayashi, Souren Adhikary, Kazuhito Tsukagoshi2026-06-09🔬 cond-mat.mes-hall