Room-temperature magnetic p-n junctions for charge-and-spin diodes
Deze paper introduceert magnetische p-n-overgangen bij kamertemperatuur, samengesteld uit een p-type amorfe halfgeleider en n-type silicium, die zowel ladings- als spin-diode-eigenschappen vertonen met een aanzienlijke magnetische versterking door manipulatie van gepolariseerde ruimteladingen.