Spin-Orbit Coupling Effects on the Structural and Electronic Properties of Planar Pentagonal p-MS (M = Si, Ge, and Pb)
Deze studie maakt gebruik van dichtheidsfunctionaaltheorie om aan te tonen dat spin-baan-koppeling de structurele en elektronische eigenschappen van planaire pentagonale p-MS-materialen (M = Si, Ge, Pb) aanzienlijk verandert, waarbij de Ge- en Pb-varianten worden gestabiliseerd en een metaal-halfgeleider-overgang wordt geïnduceerd in p-PbS met een bandkloof van 0,475 eV, wat hiermee zijn potentieel voor gassensorische toepassingen suggereert.