Isolating the natural edges of bilayer graphene in gate-defined mesoscopic devices
Dit artikel introduceert een grafiet-gegateerde architectuur voor bilateraal grafeen die het actieve apparaat volledig isoleert van natuurlijke randen, wat de fabricage van volledig elektrostatisch gedefinieerde Hall-balken met gedisorderde grenzen en veldeffecttransistors mogelijk maakt die een recordhoogte aan kwantummobiliteit van 2,5 × 10⁶ cm²/Vs vertonen.